一種多孔硅薄膜的制備裝置
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201721178682.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN207097794U | 公開（公告）日 | 2018-03-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN207097794U | 申請(qǐng)公布日 | 2018-03-13 |
| 分類號(hào) | H01L21/677;H01L21/687;H01L21/3063;H01L21/02 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 鄔蘇東;蘆子玉;葉繼春;夏金才;張歡;楊熹;楊陣海 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 寧波升日太陽(yáng)能電源有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 寧波市鄞州甬致專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 楊秀芳 |
| 地址 | 315083 浙江省寧波市鎮(zhèn)海區(qū)莊市大道519號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種多孔硅薄膜的制備裝置，該制備裝置包括硅片安裝裝置、清洗腐蝕一體化槽體，所述的硅片安裝裝置包括硅片安裝槽、傳送帶、抽真空設(shè)備，所述的傳送帶裝載有若干個(gè)硅片安裝槽且配有可控制傳送帶行程的控制器，所述的硅片安裝槽之間通過(guò)連接裝置相互連接并接入傳送帶；所述的硅片安裝槽上部與抽真空設(shè)備連接，硅片安裝槽下部緊貼有硅片；所述的清洗腐蝕一體化槽體包括清洗槽、帶有若干個(gè)鉬電極的腐蝕槽；該制備多孔硅薄膜的方法包括傳送帶調(diào)控步驟、硅片安裝步驟、硅片清洗及腐蝕步驟、取樣步驟的四大步驟來(lái)完成多孔硅薄膜的制作；本實(shí)用新型具有批量生產(chǎn)、自動(dòng)化控制的優(yōu)點(diǎn)。 |
