一種Si襯底上外延生長GaN薄膜的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910849765.5 申請日 -
公開（公告）號 CN110541157A 公開（公告）日 2019-12-06
申請公布號 CN110541157A 申請公布日 2019-12-06
分類號 C23C16/20（2006.01）; C23C16/34（2006.01）; C23C16/455（2006.01）; C23C16/52（2006.01）; H01L21/02（2006.01） 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 鐘蓉; 仇成功; 彭鵬; 甄龍云; 薛遙; 李冬冬; 周建華 申請（專利權(quán)）人 陜西光電子先導(dǎo)院科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州浙科專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 溫州大學(xué); 陜西光電子集成電路先導(dǎo)技術(shù)研究院有限責(zé)任公司
地址 325000 浙江省溫州市甌海區(qū)茶山高教園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種限制GaN外延薄膜的裂紋生長、表面形貌均勻且工藝相對簡單、易于實現(xiàn)的Si襯底上外延生長GaN薄膜的方法。采用的技術(shù)方案包括：采用MOCVD系統(tǒng)進(jìn)行外延生長以及Si襯底上外延生長GaN薄膜的方法，其特征在于：其外延結(jié)構(gòu)依次為Si襯底、預(yù)鋪鋁層、低溫氮化鋁（AlN）緩沖層、高溫氮化鋁（AlN）緩沖層、氮化鎵鋁（AlxGa1?xN）層、氮化鎵（GaN）薄膜層，其中，低溫AlN緩沖層為低溫AlN三維成核層，高溫AlN緩沖層為高溫AlN二維成核層，AlxGa1?xN層為AlxGa1?xN應(yīng)力釋放層，GaN薄膜層為最終生長層。