一種用于SOFC連接體的復(fù)合涂層及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011200128.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112290070A 公開（公告）日 2021-01-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN112290070A 申請(qǐng)公布日 2021-01-29
分類號(hào) H01M8/2465;C09D1/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳爍爍;邱基華;王麗;楊雙節(jié);肖宇 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳三環(huán)電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 顏希文;周全英
地址 515646 廣東省潮州市鳳塘鎮(zhèn)三環(huán)工業(yè)城
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種用于SOFC連接體的復(fù)合涂層及其制備方法，所述復(fù)合涂層包括內(nèi)層的納米氧化涂層，以及外層的摻雜氧化錫的尖晶石涂層，所述尖晶石的結(jié)構(gòu)為(AB)3O4，所述(AB)3O4為(MnCo)3O4、(NiCo)3O4或者(NiMn)3O4，所述內(nèi)層的納米氧化涂層的厚度為100～500nm，所述尖晶石涂層的厚度為10～50μm，所述氧化涂層為氧化鈰涂層或氧化釔涂層。本發(fā)明的復(fù)合涂層包括內(nèi)層的納米氧化涂層，以及外層的摻雜氧化錫的尖晶石涂層，不僅有效提高了基體表面氧化膜的致密性及抗剝落性，而且由于涂層較薄，對(duì)導(dǎo)電性的影響小，在尖晶石涂層中中加入氧化錫，高溫下氧化錫被還原為金屬錫，金屬錫熔點(diǎn)較低，在高溫下為類液態(tài)狀態(tài)，具有良好的可塑性，能夠彌補(bǔ)尖晶石顆粒之間形成的縫隙，使尖晶石復(fù)合涂層更加的致密。