單晶爐停爐預(yù)防熱場(chǎng)損壞方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010731096.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111826707A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-10-27 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111826707A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-10-27 |
| 分類號(hào) | C30B15/00(2006.01)I | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 趙貝;李增衛(wèi);趙群 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 邢臺(tái)晶龍新能源有限責(zé)任公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海華誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 邢臺(tái)晶龍新能源有限責(zé)任公司 |
| 地址 | 054000河北省邢臺(tái)市邢臺(tái)經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)信都路188號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種單晶爐停爐預(yù)防熱場(chǎng)損壞方法，方法包括步驟1，石英坩堝內(nèi)有剩料熔融硅液時(shí)，拉制晶體，晶體的第一長(zhǎng)度進(jìn)入水冷熱屏；步驟2，晶體拉制到第二長(zhǎng)度后，停止拉制晶體，且晶體的一端與熔融硅液液面接觸；步驟3，在晶體靜止后，單晶爐底部的副加熱器加熱功率下降為零；步驟4，單晶爐四周的主加熱器分三個(gè)階段降低功率，直至主加熱器加熱功率下降為零；步驟5，冷卻一定時(shí)間后拆單晶爐。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的方法，能夠拉制一定長(zhǎng)度單晶增大遷熱體積，加快石英坩堝中部熔融硅液凝結(jié)速度，降低了應(yīng)力集中度，單晶爐上加熱器階梯式停止加熱，減緩石英坩堝四周硅凝結(jié)速度，讓出應(yīng)力釋放區(qū)，從而最大限度的保證熱場(chǎng)的完整性。?? |
