一種用于芯片互連的電鍍鈷鍍液及配制方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110405374.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113122887A 公開（公告）日 2021-07-16
申請公布號 CN113122887A 申請公布日 2021-07-16
分類號 C25D3/12（2006.01）I;C25D7/12（2006.01）I 分類 電解或電泳工藝；其所用設備〔4〕;
發(fā)明人 王翀;周柘寧;洪延;周國云;王守緒;何為;陳苑明;陳德福;蘇新虹;孫玉凱;金立奎 申請（專利權）人 珠海方正科技高密電子有限公司
代理機構(gòu) 成都點睛專利代理事務所（普通合伙） 代理人 霍淑利
地址 611731四川省成都市高新區(qū)（西區(qū)）西源大道2006號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種用于芯片互連的電鍍鈷鍍液，屬于電子制造技術領域。本發(fā)明的一種用于芯片互連的電鍍鈷鍍液中各組分及電鍍條件如下：主鹽（以鈷含量計）5?20g/L、穩(wěn)定劑1?50g/L、緩沖劑10?30g/L、晶粒細化劑1?500mg/L、表面活性劑0.1?1g/L、整平劑0.1?1g/L、pH 3?6、電流密度0.1?3A/dm、施鍍溫度50?70℃。利用本發(fā)明公開的鍍液所沉積的鈷金屬可以替代銅金屬成為10nm以下芯片制程的互連材料，對微納溝槽和微孔有良好的填充能力，有利于降低后段制程的寄生效應，提高芯片的可靠性。