PDP保護(hù)屏的吸收近紅外線和橙色光基片的制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200510020547.9 申請日 -
公開（公告）號 CN100468091C 公開（公告）日 2009-03-11
申請公布號 CN100468091C 申請公布日 2009-03-11
分類號 G02B5/20(2006.01)I;G02B1/10(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I 分類 光學(xué);
發(fā)明人 梁春林;湯嘉陵;王雨田;張勇;蒲志勇 申請（專利權(quán)）人 四川世創(chuàng)達(dá)電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都虹橋?qū)＠聞?wù)所 代理人 蒲敏
地址 610512四川省成都市新都開發(fā)區(qū)東區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種PDP保護(hù)屏的吸收近紅外線和橙色光基片的制作方法，其具體步驟為：1)先用50℃～60℃的中性洗滌劑刷洗基片，再采用超聲的清洗方式用電阻率為15～17MΩ.CM的去離子水，對基片進(jìn)行清洗；2)在溫度為50℃～80℃的溫度場中，對基片均勻烘烤；3)在反應(yīng)濺射室中充入介質(zhì)氣體對上述經(jīng)處理后的基片進(jìn)行真空濺射鍍膜即成。由于本發(fā)明采用直接在基片上濺射介質(zhì)膜和金屬膜，去掉了PET，因此具有很好的吸收近紅外線和橙色光的光學(xué)特征，色純度純正并且膜層的霧度低，對比度高。