半導(dǎo)體器件及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010065847.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113140635A 公開（公告）日 2021-07-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN113140635A 申請(qǐng)公布日 2021-07-20
分類號(hào) H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 高樺 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 無錫華潤(rùn)上華科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京市磐華律師事務(wù)所 代理人 馮永貞
地址 214028江蘇省無錫市國(guó)家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)新洲路8號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件及其制備方法。所述半導(dǎo)體器件包括：所述半導(dǎo)體器件包括：半導(dǎo)體襯底；體區(qū)和漂移區(qū)，形成于所述半導(dǎo)體襯底中；源區(qū)，位于所述體區(qū)內(nèi)；漏區(qū)，位于所述漂移區(qū)內(nèi)；柵極結(jié)構(gòu)，位于所述半導(dǎo)體襯底上，所述柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)延伸至所述源區(qū)上，且所述柵極結(jié)構(gòu)的另一側(cè)延伸至所述漂移區(qū)上；場(chǎng)板，位于所述漂移區(qū)上，且與所述柵極結(jié)構(gòu)間隔設(shè)置；其中，在水平表面上的投影中，所述場(chǎng)板設(shè)有向所述柵極結(jié)構(gòu)延伸的至少一個(gè)場(chǎng)板凸形結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)設(shè)有與所述場(chǎng)板凸形結(jié)構(gòu)配合的柵極結(jié)構(gòu)凹形槽。本發(fā)明所述方案既不會(huì)損失器件的導(dǎo)通電阻也不會(huì)增加工藝成本或工藝步驟等，使半導(dǎo)體器件的性能提高。