OTP存儲(chǔ)器件及其制作方法、電子裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810404695.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN110416213B 公開(kāi)（公告）日 2021-07-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN110416213B 申請(qǐng)公布日 2021-07-20
分類號(hào) H01L27/112;H01L21/8246 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孫曉峰;秦仁剛;盛拓 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京市磐華律師事務(wù)所 代理人 汪洋;張建
地址 214028 江蘇省無(wú)錫市國(guó)家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)新洲路8號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種OTP存儲(chǔ)器件及其制作方法、電子裝置，該OTP存儲(chǔ)間包括：半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底中形成有第一有源區(qū)和第二有源區(qū)；在第一有源區(qū)上形成有若干存儲(chǔ)單元，同一第一有源區(qū)上相鄰的所述存儲(chǔ)單元呈鏡像布置，并且具有公共的位線和源線，相鄰所述第一有源區(qū)上的位于同一直線上的所述位線通過(guò)所述第二有源區(qū)彼此連接成為公用位線，相鄰所述第一有源區(qū)上的位于同一直線上的所述源線彼此不連接；在所述半導(dǎo)體襯底上還形成有阻擋層，所述阻擋層覆蓋所述浮柵。根據(jù)本發(fā)明的OTP存儲(chǔ)器件可以避免相鄰的位線接觸孔橋接互連而引起器件失效的問(wèn)題，提高了器件的良率和可靠性。該OTP存儲(chǔ)器件的制作方法和電子裝置具有類似的優(yōu)點(diǎn)。