半導(dǎo)體工藝的關(guān)鍵尺寸的監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)及監(jiān)測(cè)方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201810317822.0 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN110364447B | 公開(公告)日 | 2021-07-09 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN110364447B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-07-09 |
分類號(hào) | H01L21/66 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 孫曉峰;秦仁剛;盛拓 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 無錫華潤(rùn)上華科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京市磐華律師事務(wù)所 | 代理人 | 汪洋;馮永貞 |
地址 | 214028 江蘇省無錫市國(guó)家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)新洲路8號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體工藝的關(guān)鍵尺寸的監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)及監(jiān)測(cè)方法。所述測(cè)試結(jié)構(gòu)包括:第一測(cè)試件,具有第一寬度、第一長(zhǎng)度和第一電學(xué)參數(shù);第二測(cè)試件,包括至少一個(gè)測(cè)試條,所述測(cè)試條具有第二寬度和第二長(zhǎng)度,所述第二測(cè)試件具有第二電學(xué)參數(shù),其中,第二寬度遠(yuǎn)小于所述第一寬度、第一長(zhǎng)度、第二長(zhǎng)度,所述第二寬度的設(shè)計(jì)尺寸為所述半導(dǎo)體工藝的關(guān)鍵尺寸,根據(jù)第一測(cè)試件的第一電學(xué)參數(shù)、第一寬度、第一長(zhǎng)度以及所述第二測(cè)試件的第二電學(xué)參數(shù)、第二長(zhǎng)度來監(jiān)測(cè)所述第二寬度的實(shí)際尺寸,通過將所述第二寬度的實(shí)際尺寸與所述第二寬度的設(shè)計(jì)尺寸相比來判斷所述半導(dǎo)體工藝的關(guān)鍵尺寸是否發(fā)生變化。通過所述結(jié)構(gòu)和方法絕大部分關(guān)鍵層次的CD都可以監(jiān)控。 |
