一種半導(dǎo)體器件及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911395825.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113130646A 公開（公告）日 2021-07-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN113130646A 申請(qǐng)公布日 2021-07-16
分類號(hào) H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/08（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 何乃龍;張森 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 無錫華潤(rùn)上華科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京市磐華律師事務(wù)所 代理人 高偉
地址 214028江蘇省無錫市國(guó)家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)新洲路8號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制作方法，所述半導(dǎo)體器件包括:半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底中形成有第一漂移區(qū)；所述半導(dǎo)體襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)的一部分覆蓋所述第一漂移區(qū)的一部分；所述第一漂移區(qū)內(nèi)形成有第一凹槽，所述第一凹槽底部的半導(dǎo)體襯底中形成有漏區(qū)。根據(jù)本發(fā)明提供的半導(dǎo)體器件及其制作方法，通過在漂移區(qū)內(nèi)形成凹槽，并在凹槽底部的半導(dǎo)體襯底中形成漏區(qū)，縱向延長(zhǎng)了漂移區(qū)的長(zhǎng)度，提高了半導(dǎo)體器件的承受電壓，同時(shí)減小了半導(dǎo)體器件的面積。