集成有結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的器件及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610793753.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN107785365B 公開（公告）日 2021-08-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN107785365B 申請(qǐng)公布日 2021-08-06
分類號(hào) H01L27/02（2006.01）I;H01L27/06（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 顧炎;程詩康;張森 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 無錫華潤(rùn)上華科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 吳平
地址 214028江蘇省無錫市國(guó)家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)新洲路8號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種集成有結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的器件及其制造方法，所述器件的JFET區(qū)包括：JFET源極，為第一導(dǎo)電類型；JFET源極的金屬電極，形成于所述JFET源極上與所述JFET源極接觸；復(fù)合阱區(qū)結(jié)構(gòu)，為第二導(dǎo)電類型且設(shè)于第一導(dǎo)電類型區(qū)內(nèi)，包括第一阱和位于第一阱內(nèi)的第二阱，第二阱的離子濃度大于第一阱的離子濃度，復(fù)合阱區(qū)結(jié)構(gòu)在JFET源極的兩側(cè)各形成有一個(gè)，且JFET源極橫向延伸進(jìn)入第一阱和第二阱內(nèi)；JFET金屬柵極，設(shè)于JFET源極兩側(cè)的復(fù)合阱區(qū)結(jié)構(gòu)上。本發(fā)明利用第一阱和第二阱組成的復(fù)合阱區(qū)形成復(fù)合溝道，增強(qiáng)了溝道耗盡能力，加強(qiáng)了夾斷電壓穩(wěn)定性。同時(shí)可以通過調(diào)節(jié)復(fù)合溝道的距離，精確調(diào)節(jié)夾斷電壓大小，滿足不同的電路應(yīng)用場(chǎng)合。