LDMOS器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911418179.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113130649A 公開（公告）日 2021-07-16
申請公布號 CN113130649A 申請公布日 2021-07-16
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/40（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李佳豪;金華俊 申請（專利權(quán)）人 無錫華潤上華科技有限公司
代理機構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 史治法
地址 214028江蘇省無錫市國家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)新洲路8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種LDMOS器件，一種LDMOS器件，包括：基底；漂移區(qū)，位于基底內(nèi)；若干個間隔排布的溝槽，位于漂移區(qū)內(nèi)；若干個金屬場板，分別位于各溝槽內(nèi)；隔離介質(zhì)層，至少位于金屬場板與溝槽內(nèi)壁之間。間隔排布的溝槽使得金屬場板能夠有效的深入漂移區(qū)內(nèi)部，從而形成多維度的耗盡效果，同時，由于間隔排布的溝槽之間的漂移區(qū)保留了漂移區(qū)表面的載流子通道，LDMOS器件的載流子基本是沿著漂移區(qū)的表面流動，相較于載流子沿著溝槽的側(cè)壁和溝槽的底壁繞過溝槽，載流子的運動途徑更短，能夠有效的降低LDMOS器件的導(dǎo)通電阻。