一種半導(dǎo)體器件及其制備方法、電子裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911423898.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113130314A 公開(kāi)（公告）日 2021-07-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN113130314A 申請(qǐng)公布日 2021-07-16
分類(lèi)號(hào) H01L21/306（2006.01）I;H01L21/768（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 賀騰飛;林軍;張建棟;黃仁瑞 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京市磐華律師事務(wù)所 代理人 馮永貞
地址 214028江蘇省無(wú)錫市國(guó)家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)新洲路8號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件及其制備方法、電子裝置。所述制備方法包括：提供晶圓，在所述晶圓上形成有介電層，在所述介電層中形成有相互間隔的插塞，并且所述介電層的頂部露出所述插塞的頂部；執(zhí)行化學(xué)機(jī)械研磨步驟，在研磨墊上同時(shí)添加研磨液和去離子水，對(duì)所述介電層進(jìn)行研磨，去除部分所述介電層，以露出部分所述插塞并控制所述插塞凸出所述介電層的高度，其中，所述研磨液和所述去離子水的流量比為1:0.03?1:15，和/或所述研磨液和所述去離子水在所述研磨墊上的落點(diǎn)與所述研磨墊中心的距離為10cm?12cm。所述方法可以精準(zhǔn)控制晶圓表面整體插塞（鎢?插塞）凸出的高度在500埃以?xún)?nèi)以及其均勻性，進(jìn)而獲得高光潔、無(wú)損傷的表面以及穩(wěn)定可靠的器件。