橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911418234.7 申請日 -
公開（公告）號 CN113130632A 公開（公告）日 2021-07-16
申請公布號 CN113130632A 申請公布日 2021-07-16
分類號 H01L29/40（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 趙景川;張志麗;張森 申請（專利權(quán)）人 無錫華潤上華科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 史治法
地址 214028江蘇省無錫市國家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)新洲路8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件及其制備方法，包括：第一導(dǎo)電類型的襯底；第二導(dǎo)電類型的漂移區(qū)，位于第一導(dǎo)電類型的襯底內(nèi)；縱向浮空場板陣列，包括若干個呈多行多列間隔排布的縱向浮空場板結(jié)構(gòu)；縱向浮空場板結(jié)構(gòu)包括設(shè)于溝槽內(nèi)表面的介質(zhì)層及填充于溝槽內(nèi)的導(dǎo)電層，溝槽從第二導(dǎo)電類型的漂移區(qū)貫穿第二導(dǎo)電類型的漂移區(qū)并延伸至第一導(dǎo)電類型的襯底內(nèi)；若干個第一導(dǎo)電類型的注入?yún)^(qū)域，位于第二導(dǎo)電類型的漂移區(qū)內(nèi)，且位于各行相鄰兩縱向浮空場板結(jié)構(gòu)之間?？v向浮空場板結(jié)構(gòu)從第二導(dǎo)電類型的漂移區(qū)表面貫穿第二導(dǎo)電類型的漂移區(qū)并延伸至第一導(dǎo)電類型的襯底內(nèi)，使得縱向浮空場板結(jié)構(gòu)底部的電勢被表面限制，從而提高了器件的穩(wěn)定性。