一種CVD法碳化硅涂層的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810213134.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN108359958A 公開（公告）日 2018-08-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN108359958A 申請(qǐng)公布日 2018-08-03
分類號(hào) C23C16/32 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 林培英;李嘯;黃洪福;朱佰喜 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市志橙半導(dǎo)體材料股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州市天河廬陽專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 胡濟(jì)元
地址 518054 廣東省深圳市南山區(qū)南山街道南山大道康樂大廈福海閣10F
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種CVD法碳化硅涂層的制備方法，包括以下步驟：(1)啟動(dòng)沉積爐的加溫箱，使溫度達(dá)到100?160℃；(2)將石墨基體放入沉積爐內(nèi)的轉(zhuǎn)盤上，然后帶動(dòng)石墨基體旋轉(zhuǎn)；(3)對(duì)沉積爐內(nèi)抽真空，再充入氬氣；如此循環(huán)多次；(4)啟動(dòng)爐腔加熱系統(tǒng)，對(duì)沉積爐內(nèi)進(jìn)行加熱，同時(shí)對(duì)沉積爐內(nèi)進(jìn)行抽真空，達(dá)到沉積溫度后，保溫一定時(shí)間，再充入氬氣，使沉積爐內(nèi)的壓力達(dá)到40?60Kpa，再抽真空；(5)將氫氣、氬氣以及烷烴通入加溫箱中，并通入液態(tài)氯硅烷，進(jìn)而將帶有氯硅烷的混合氣體通入到沉積爐內(nèi)；(6)沉積完，停止輸送氫氣、氯硅烷以及烷烴，保持氬氣的輸送，對(duì)沉積爐進(jìn)行沖洗和降溫，然后充氣，打開爐體，取出帶有碳化硅涂層的石墨工件。