一種優(yōu)化氣體流場的石墨基座

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202020258722.8 申請日 -
公開（公告）號 CN211629063U 公開（公告）日 2020-10-02
申請公布號 CN211629063U 申請公布日 2020-10-02
分類號 H01L21/687(2006.01)I;C23C16/54(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 黃洪福;朱佰喜 申請（專利權）人 深圳市志橙半導體材料股份有限公司
代理機構 深圳市添源知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 羅志偉
地址 518000廣東省深圳市寶安區(qū)松崗街道潭頭社區(qū)健倉科技研發(fā)廠區(qū)辦公樓307
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供了一種優(yōu)化氣體流場的石墨基座，包括石墨基座，所述石墨基座上設有晶圓凹槽，所述晶圓凹槽的槽口設有倒角，所述倒角的角度為3度～40度。本實用新型的有益效果是：通過優(yōu)化的倒角過渡設計改善了由石墨基座流過晶圓的氣體流場，能有效降低石墨基座的邊緣效應導致產品報廢的概率，顯著提高晶圓薄膜均勻性，提升了芯片良率。??