一種優(yōu)化氣體流場(chǎng)的石墨基座
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202020258722.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN211629063U | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-10-02 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN211629063U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-10-02 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/687(2006.01)I;C23C16/54(2006.01)I | 分類(lèi) | - |
| 發(fā)明人 | 黃洪福;朱佰喜 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 深圳市志橙半導(dǎo)體材料股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市添源知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 羅志偉 |
| 地址 | 518000廣東省深圳市寶安區(qū)松崗街道潭頭社區(qū)健倉(cāng)科技研發(fā)廠(chǎng)區(qū)辦公樓307 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型提供了一種優(yōu)化氣體流場(chǎng)的石墨基座，包括石墨基座，所述石墨基座上設(shè)有晶圓凹槽，所述晶圓凹槽的槽口設(shè)有倒角，所述倒角的角度為3度～40度。本實(shí)用新型的有益效果是：通過(guò)優(yōu)化的倒角過(guò)渡設(shè)計(jì)改善了由石墨基座流過(guò)晶圓的氣體流場(chǎng)，能有效降低石墨基座的邊緣效應(yīng)導(dǎo)致產(chǎn)品報(bào)廢的概率，顯著提高晶圓薄膜均勻性，提升了芯片良率。?? |
