一種具有碳化硅涂層的硅片外延基座

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202120942561.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN214937796U 公開(kāi)（公告）日 2021-11-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN214937796U 申請(qǐng)公布日 2021-11-30
分類號(hào) C23C16/458（2006.01）I;C30B25/12（2006.01）I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 袁永紅;周祖豪;朱佰喜 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市志橙半導(dǎo)體材料股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市添源知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 于標(biāo)
地址 518000廣東省深圳市寶安區(qū)松崗街道潭頭社區(qū)健倉(cāng)科技研發(fā)廠區(qū)辦公樓307
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種具有碳化硅涂層的硅片外延基座，包括基座本體、口袋和應(yīng)力槽，其中，所述應(yīng)力槽設(shè)置于基座本體上。本實(shí)用新型的基座工作時(shí)，由應(yīng)力槽釋放應(yīng)力，避免應(yīng)力集中，能有效降低基座開(kāi)裂，有效地防止了基座開(kāi)裂導(dǎo)致石墨中的碳和其它雜質(zhì)對(duì)硅片造成污染，進(jìn)而能夠生產(chǎn)出高純凈度、高質(zhì)量的硅外延片，并有效延長(zhǎng)基座的使用周期。