一種IGBT芯片結(jié)構(gòu)及封裝布局
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010704515.5 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111933701A | 公開（公告）日 | 2020-11-13 |
| 申請公布號 | CN111933701A | 申請公布日 | 2020-11-13 |
| 分類號 | H01L29/739(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 趙海軍;謝廣峰 | 申請（專利權(quán)）人 | 北京帕斯特電力集成技術(shù)有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京紐樂康知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 王珂 |
| 地址 | 101318北京市順義區(qū)空港街道安華大街1號2幢1層340號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種IGBT芯片結(jié)構(gòu)及封裝布局，包括：其特征在于，包括MOS場效應(yīng)晶體管和三極管組成的IGBT單元和與所述IGBT單元電性連接的FRD單元，所述IGBT單元與所述FRD單元集成斬波電路芯片及半橋電路芯片，所述IGBT單元與所述FRD單元集成的斬波電路芯片與所述IGBT單元與所述FRD單元集成的半橋電路芯片通過電容器組集成換流單元，多個所述IGBT單元組合成IGBT模塊，所述IGBT模塊與電容器組及電池組并聯(lián)封裝。本發(fā)明的有益效果：本申請?zhí)岢黾墒綌夭ɑ虬霕蛐酒Y(jié)構(gòu)，在封裝級通過集成電容器組實現(xiàn)換流回路的緊湊化，大幅降低換流閥回路寄生參數(shù)，使得組件開關(guān)速度較快，同時電壓應(yīng)力較小，在IGBT模塊通過與外部分布電容器組、電池組配合，大幅提升其應(yīng)用可靠性。?? |
