一種新型壓接式IGBT內(nèi)部封裝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910575150.8 申請日 -
公開（公告）號 CN110416187A 公開（公告）日 2021-07-09
申請公布號 CN110416187A 申請公布日 2021-07-09
分類號 H01L23/58;H01L23/373 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 于凱;黃小娟 申請（專利權(quán)）人 西安中車永電電氣有限公司
代理機構(gòu) 西安新動力知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 劉強
地址 710018 陜西省西安市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)鳳城十二路中國中車永濟電機
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于IGBT技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種新型壓接式IGBT內(nèi)部封裝結(jié)構(gòu)，采用了一種具備可壓縮性、導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能優(yōu)良的高導(dǎo)電高導(dǎo)熱彈性材料層。一方面，這種材料層的高導(dǎo)電導(dǎo)熱特性可以分別替代現(xiàn)有的壓接式IGBT模塊內(nèi)部鉬片、銀片的作用，甚至當(dāng)這種高導(dǎo)電導(dǎo)熱材料加工工藝提升后，工作特性滿足的話可以同時替代鉬片和銀片；另一方面，這種材料層的引入可以將現(xiàn)有壓接式內(nèi)部結(jié)構(gòu)中各層的硬接觸轉(zhuǎn)換為軟接觸，在保證模塊壓力均衡性的同時，又能保證模塊內(nèi)部的導(dǎo)熱性及導(dǎo)電性。該新型壓接式IGBT內(nèi)部封裝結(jié)構(gòu)，在保證壓接模塊優(yōu)良性能的同時，簡化了陶瓷管殼封裝壓接式IGBT的封裝工藝，解決了壓接式IGBT模塊的壓力均衡性問題。