扇出型封裝結(jié)構(gòu)和扇出型封裝結(jié)構(gòu)的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210407062.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114512464A 公開(kāi)（公告）日 2022-05-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN114512464A 申請(qǐng)公布日 2022-05-17
分類(lèi)號(hào) H01L23/498（2006.01）I;H01L23/00（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L21/48（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳澤;張聰 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 甬矽半導(dǎo)體（寧波）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡宏宇專(zhuān)利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 -
地址 315400浙江省寧波市余姚市中意寧波生態(tài)園興舜路22號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種扇出型封裝結(jié)構(gòu)和扇出型封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，該扇出型封裝結(jié)構(gòu)包括緩沖層、芯片、塑封體、第一組合布線(xiàn)層和第一焊球，通過(guò)設(shè)置緩沖層，并將芯片貼附在緩沖層上，然后設(shè)置包覆在芯片外的塑封體，緩沖層的熱膨脹系數(shù)小于塑封體的熱膨脹系數(shù)，第一焊球與第一組合布線(xiàn)層電連接，第一組合布線(xiàn)層與芯片電連接，實(shí)現(xiàn)了扇出型封裝。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明通過(guò)額外設(shè)置緩沖層，且塑封體局部包覆在緩沖層上，緩沖層的熱膨脹系數(shù)較小，在器件受力時(shí)，緩沖層可以?xún)?yōu)先于塑封體變形，吸收塑封體的結(jié)構(gòu)應(yīng)力，能夠?qū)崿F(xiàn)產(chǎn)品內(nèi)部應(yīng)力的平衡，有效減緩塑封翹曲問(wèn)題。