凸塊封裝結(jié)構(gòu)和凸塊封裝結(jié)構(gòu)的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210233438.9 申請日 -
公開（公告）號 CN114597137A 公開（公告）日 2022-06-07
申請公布號 CN114597137A 申請公布日 2022-06-07
分類號 H01L21/60;H01L23/488 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 姜滔;肖選科 申請（專利權(quán)）人 甬矽半導(dǎo)體（寧波）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 梁曉婷
地址 315400 浙江省寧波市余姚市中意寧波生態(tài)園興舜路22號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種凸塊封裝結(jié)構(gòu)和凸塊封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，該凸塊封裝結(jié)構(gòu)包括芯片、第一緩沖層、第一保護(hù)層、導(dǎo)電組合層和導(dǎo)電凸塊，通過在芯片的一側(cè)依次設(shè)置第一緩沖層、第一保護(hù)層，并在第一導(dǎo)電開口內(nèi)設(shè)置導(dǎo)電組合層，最后在導(dǎo)電組合層上完成導(dǎo)電凸塊的制作，其中，通過在第一緩沖層上設(shè)置第一緩沖層，能夠有效地對導(dǎo)電組合層進(jìn)行緩沖，降低焊接脫落概率。同時(shí)，通過設(shè)置第一凹槽，使得導(dǎo)電組合層延伸至第一凹槽內(nèi)，從而大幅提升了導(dǎo)電組合層與第一緩沖層之間的結(jié)合力，進(jìn)而提升了導(dǎo)電凸塊與芯片之間的結(jié)合力你，避免出現(xiàn)導(dǎo)電凸塊掉落的問題，保證了結(jié)構(gòu)的可靠性。