基于量子通信應用的電吸收光發(fā)射芯片及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911421082.6 申請日 -
公開（公告）號 CN111129944A 公開（公告）日 2020-05-08
申請公布號 CN111129944A 申請公布日 2020-05-08
分類號 H01S5/026;H04B10/50;H04B10/70 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張石寶;劉建宏;馮斯波;劉軍 申請（專利權）人 山東國迅量子芯科技有限公司
代理機構 濟南圣達知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 山東國迅量子芯科技有限公司
地址 250101 山東省濟南市高新區(qū)舜風路777號A座2F-201室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了基于量子通信應用的電吸收光發(fā)射芯片及其制作方法，包括：在N型襯底上外延生長多量子阱結(jié)構；在多量子阱結(jié)構表面沉積介質(zhì)膜后，進行掩膜光刻，腐蝕掉需要再次外延生長區(qū)域的多量子阱結(jié)構；需要再次外延生長區(qū)域為B區(qū)域，外延生長B區(qū)域的多量子阱結(jié)構；采用全息曝光法在A區(qū)域制作光柵層；在A、B區(qū)域多量子阱結(jié)構之間掩膜光刻電隔離溝，濺射激光器的P面電極和調(diào)制器P面高頻電極，在襯底上，與所述電隔離溝對應的位置上再掩膜光刻電隔離溝，濺射激光器和調(diào)制器的N面電極。