一種金屬氫化物原位合成硅/碳納米復合材料的制備方法及其應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210327883.1 申請日 -
公開（公告）號 CN114684821A 公開（公告）日 2022-07-01
申請公布號 CN114684821A 申請公布日 2022-07-01
分類號 C01B33/023（2006.01）I;C01B32/05（2017.01）I;B82Y40/00（2011.01）I;B82Y30/00（2011.01）I;H01M4/36（2006.01）I;H01M4/38（2006.01）I;H01M4/587（2010.01）I 分類 無機化學;
發(fā)明人 丁瑜;蔡明柱;王鋒;余佳閣;楊宇航 申請（專利權(quán)）人 湖北工程學院
代理機構(gòu) 南京縱橫知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 432000湖北省孝感市交通大道272號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種金屬氫化物原位合成硅/碳納米復合材料的制備方法及其應(yīng)用，屬于鋰離子電池電極材料領(lǐng)域，制備方法如下：S1.在保護氣體氛圍下，將碳酸鹽、納米二氧化硅、二茂鐵和金屬氫化物混合，球磨后加入氯化鋁，得到前驅(qū)體；碳酸鹽、納米二氧化硅、二茂鐵和金屬氫化物的質(zhì)量比為1:（2.5～20）:（3～5）:（3～30），氯化鋁與納米二氧化硅的質(zhì)量比為（5～15）:1；S2.在保護氣體氛圍下，將步驟S1所得的前驅(qū)體進行焙燒，再冷卻至室溫，經(jīng)過酸洗、干燥后得到硅/碳納米復合材料。本發(fā)明的制備方法反應(yīng)溫度低，硅的產(chǎn)率高；且通過一步煅燒制得硅/碳納米復合材料，工藝簡單。制備的硅/碳納米復合材料形貌均勻，硅在碳材料中分布均勻，可以有效緩沖硅的體積效應(yīng)。