一種等離子體刻蝕殘留物清洗液

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911407714.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113130292A 公開（公告）日 2021-07-16
申請公布號 CN113130292A 申請公布日 2021-07-16
分類號 H01L21/02（2006.01）I;H01L21/311（2006.01）I;C09K13/00（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 肖林成;劉兵;彭洪修;張維棚;趙鵬 申請（專利權(quán)）人 安集微電子科技（上海）股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京大成律師事務(wù)所 代理人 李佳銘;王芳
地址 201201上海市浦東新區(qū)華東路5001號金橋出口加工區(qū)（南區(qū)）T6－9幢底層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種等離子體刻蝕殘留物清洗液，包括氧化劑、pH調(diào)節(jié)劑、穩(wěn)定劑、有機(jī)酸銨鹽、金屬緩蝕劑、以及水。本發(fā)明提供了一種等離子體刻蝕殘留物清洗液，可有效去除晶圓清洗過程中的等離子體刻蝕殘留物，并且，在金屬孔道中的殘留物少；對氮化鈦的刻蝕具有高選擇性，能夠高效去除氮化鈦硬掩模；并且在高轉(zhuǎn)速單片機(jī)清洗中對金屬材料和非金屬材料以及Low?k介質(zhì)材料均有較小的腐蝕速率；操作窗口較大；本申請的清洗液中不含氟，即使是小于14nm的晶圓也不會影響其電性能。