氮化鎵二硫化鉬混合尺度PN結的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010375617.7 申請日 -
公開（公告）號 CN111430244A 公開（公告）日 2020-07-17
申請公布號 CN111430244A 申請公布日 2020-07-17
分類號 H01L21/34 分類 -
發(fā)明人 曹玉潔;陳敦軍;謝自力 申請（專利權）人 南京南大光電工程研究院有限公司
代理機構 江蘇斐多律師事務所 代理人 南京南大光電工程研究院有限公司
地址 210046 江蘇省南京市經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)恒發(fā)路28號04幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種氮化鎵二硫化鉬混合尺度PN結的制備方法，其步驟包括：(1)在襯底上沉積p?GaN層；(2)在干凈、平整的玻片表面放置PDMS，在膠帶的表面鋪一層均勻的MoS2片狀晶體，用膠帶粘有MoS2片狀晶體的一面接觸PDMS并施壓，使MoS2轉(zhuǎn)移到PDMS上形成MoS2膜，揭下膠帶，再將步驟(1)制得的器件的p?GaN層表面反扣在PDMS上并施壓，使MoS2膜轉(zhuǎn)移到p?GaN層表面，制成氮化鎵二硫化鉬混合尺度PN結。本發(fā)明中采用的是PDMS輔助干法轉(zhuǎn)移，操作簡單，制作成本低廉。利用該方法制備出來的MoS2薄膜尺寸較大，且與傳統(tǒng)的機械剝離法相比，該方法制備的樣品襯底較為干凈，便于后續(xù)的器件測試。