局部蒸發(fā)去除多晶硅中硼的方法及裝置
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN200910220058.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN101708849B | 公開(kāi)（公告）日 | 2012-08-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN101708849B | 申請(qǐng)公布日 | 2012-08-01 |
| 分類(lèi)號(hào) | C01B33/037(2006.01)I | 分類(lèi) | 無(wú)機(jī)化學(xué); |
| 發(fā)明人 | 譚毅;董偉;姜大川;李國(guó)斌 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 大連理工大學(xué)產(chǎn)業(yè)投資有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 大連理工大學(xué)專利中心 | 代理人 | 大連理工大學(xué);大連理工高郵研究院有限公司 |
| 地址 | 116024 遼寧省大連市甘井子區(qū)凌工路2號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明局部蒸發(fā)去除多晶硅中硼的方法及裝置屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種利用電子束熔煉技術(shù)將多晶硅中的雜質(zhì)硼去除的方法和裝置。該方法用電子束對(duì)石墨坩堝中的多晶硅進(jìn)行局部熔煉，將液態(tài)硅蒸發(fā)到石墨坩堝上方的沉積板上，收集沉積在沉積板上多晶硅的方法；該裝置由真空蓋、真空?qǐng)A桶構(gòu)成裝置的外殼，真空?qǐng)A桶的內(nèi)腔即為真空室，真空室內(nèi)裝有熔煉系統(tǒng)，熔煉系統(tǒng)由電子槍、石墨坩堝、水冷銅托盤(pán)組成。該方法工藝簡(jiǎn)單，能耗低，環(huán)境污染小，提純精度高；技術(shù)穩(wěn)定，有利于大規(guī)模生產(chǎn)。 |
