基于SON結(jié)構(gòu)的壓阻式加速度傳感器的制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910427434.2 申請日 -
公開（公告）號 CN110161282B 公開（公告）日 2021-03-30
申請公布號 CN110161282B 申請公布日 2021-03-30
分類號 B81C1/00(2006.01)I;G01P15/12(2006.01)I;B81B3/00(2006.01)I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 汪祖民 申請（專利權(quán)）人 龍微科技無錫有限公司
代理機構(gòu) 無錫華源專利商標事務(wù)所（普通合伙） 代理人 聶啟新
地址 214000江蘇省無錫市太湖國際科技園菱湖大道200號中國傳感網(wǎng)國際創(chuàng)新園E幢E1-301室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于SON結(jié)構(gòu)的壓阻式加速度傳感器的制作方法，屬于微電子制作技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括在硅襯底上淀積外延硅鍺層；在硅鍺層制作空腔范圍圖形和腐蝕阻擋溝槽；在腐蝕阻擋溝槽內(nèi)形成SiO2氧化層；淀積非晶硅層得到敏感膜；在非晶硅層制作腐蝕通孔；淀積形成二氧化硅層和氮化硅層；在硅鍺層形成矩形腐蝕空腔；去除非晶硅層的二氧化硅層和氮化硅層；向非晶硅層注入P+離子和P?離子形成力敏電阻；淀積氧化硅介質(zhì)層；在氧化硅介質(zhì)層表面形成金屬導(dǎo)線和金屬PAD點；對應(yīng)矩形腐蝕孔腔的兩個長邊的內(nèi)側(cè)形成敏感膜釋放結(jié)構(gòu)；可以明顯降低壓阻式加速度傳感器在測量過程中的阻尼效應(yīng)；達到了提高壓阻式加速度傳感器的測量精度的效果。??