OLED薄膜封裝工藝及OLED薄膜封裝系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810323996.8 申請日 -
公開（公告）號 CN108448008B 公開（公告）日 2020-05-01
申請公布號 CN108448008B 申請公布日 2020-05-01
分類號 H01L51/52;H01L51/56;C23C16/04;C23C16/455 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳疆 申請（專利權(quán)）人 上海瀚蒞電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州攜智匯佳專利代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 昆山夢顯電子科技有限公司
地址 215300 江蘇省蘇州市昆山市玉山鎮(zhèn)晨豐路188號3號房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種OLED薄膜封裝系統(tǒng)，用于封裝OLED器件，包括原子層沉積技術(shù)裝置、待封裝OLED器件、掩膜板以及放置于所述掩膜板上方的照射源。所述待封裝OLED器件包括基板及OLED層。所述掩膜板包括鏤空部和遮蓋部，所述鏤空部包括用以在所述基板上形成薄膜封裝層的開孔，所述基板上形成薄膜封裝層的區(qū)域為薄膜封裝區(qū)域。所述遮蓋部用以遮蓋所述基板的非薄膜封裝區(qū)域，所述遮蓋部設(shè)有通孔，且在所述掩膜板與所述基板對位時，所述通孔與所述基板的Bonding區(qū)相對應(yīng)。使用該OLED薄膜封裝系統(tǒng)的OLED薄膜封裝工藝使用照射源通過所述通孔照射Bonding區(qū)以分解Bonding區(qū)的前驅(qū)體，使得Bonding區(qū)的原子層沉積反應(yīng)無法進(jìn)行，阻止了Bonding區(qū)的薄膜生長，簡化了工藝過程，降低了生產(chǎn)成本。