一種晶片承載裝置及刻蝕設(shè)備
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202010031142.X | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113113342A | 公開(公告)日 | 2021-07-13 |
申請公布號 | CN113113342A | 申請公布日 | 2021-07-13 |
分類號 | H01L21/687(2006.01)I;H01L21/673(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 王子榮;陸前軍;陳術(shù)文 | 申請(專利權(quán))人 | 廣東中圖半導(dǎo)體科技股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京品源專利代理有限公司 | 代理人 | 胡彬 |
地址 | 523000廣東省東莞市松山湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)工業(yè)北二路4號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制造相關(guān)領(lǐng)域,公開了一種晶片承載裝置及刻蝕設(shè)備,其中晶片承載裝置包括放置有晶片的托盤,以及置于所述托盤上且壓緊所述晶片的蓋板,所述托盤和所述蓋板之間絕緣設(shè)置并形成電容。本發(fā)明通過托盤和蓋板之間絕緣設(shè)置并形成電容,能夠弱化射頻系統(tǒng)在蓋板上形成的鞘層的強(qiáng)度和厚度,進(jìn)而減小在晶片邊緣產(chǎn)生的向蓋板方向偏轉(zhuǎn)的附加電場力,減弱帶電粒子在刻蝕過程中的偏轉(zhuǎn),控制刻蝕過程中圖形的畸變,有效改善晶片邊緣的刻蝕均一性,降低甚至完全消除邊緣圖形畸變。 |
