一種復(fù)合圖形化襯底、制備方法及LED外延片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911373514.0 申請日 -
公開（公告）號 CN113053724A 公開（公告）日 2021-06-29
申請公布號 CN113053724A 申請公布日 2021-06-29
分類號 H01L21/02;H01L33/22 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王子榮;陸前軍;張劍橋;張能 申請（專利權(quán)）人 廣東中圖半導(dǎo)體科技股份有限公司
代理機構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 孟金喆
地址 523000 廣東省東莞市松山湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)工業(yè)北二路4號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實施例公開了一種復(fù)合圖形化襯底、制備方法及LED外延片。該復(fù)合圖形化襯底的制備方法包括：提供一平片藍(lán)寶石襯底；在所述平片藍(lán)寶石襯底上形成至少一層介質(zhì)層，所述至少一層介質(zhì)層包括位于底層且與所述平片藍(lán)寶石襯底接觸的第一介質(zhì)層；圖案化所述至少一層介質(zhì)層，形成多個異質(zhì)微結(jié)構(gòu)；其中包括：采用刻蝕液對所述第一介質(zhì)層進行濕法刻蝕；所述平片藍(lán)寶石襯底與所述刻蝕液的化學(xué)反應(yīng)速率低于所述第一介質(zhì)層與所述刻蝕液的化學(xué)反應(yīng)速率。本發(fā)明實施例解決了現(xiàn)有圖形化襯底制備過程中平片藍(lán)寶石襯底C面容易嚴(yán)重受損的問題，可以保證復(fù)合圖形化襯底中生長外延材料的C面的質(zhì)量，從而有助于減少外延生長缺陷，改善外延層質(zhì)量。