一種圖形化襯底LED外延片異常的反向分析方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110117826.6 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN112951734A | 公開(公告)日 | 2021-06-11 |
申請公布號 | CN112951734A | 申請公布日 | 2021-06-11 |
分類號 | H01L21/66 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 曾廣藝;張劍橋;王子榮;陸前軍 | 申請(專利權(quán))人 | 廣東中圖半導(dǎo)體科技股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京品源專利代理有限公司 | 代理人 | 孟金喆 |
地址 | 523000 廣東省東莞市松山湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)工業(yè)北二路4號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明實施例公開了一種圖形化襯底LED外延片異常的反向分析方法,LED外延片包括疊層設(shè)置的圖形化襯底和外延層;該圖形化襯底LED外延片異常的反向分析方法包括:對外延層的表面進(jìn)行宏觀缺陷檢測和/或微觀形貌檢測;逐層刻蝕剝離外延層形成多個刻蝕面,直至將外延層全部清理去除;對每個刻蝕面進(jìn)行宏觀缺陷檢測和/或微觀形貌檢測,確定刻蝕面的異常情況并分析刻蝕面的異常情況與圖形化襯底的關(guān)聯(lián)性。本發(fā)明實施例通過逐層刻蝕分析外延層,可建立起圖形化襯底與外延層異常的直觀聯(lián)系,有利于改善優(yōu)化工藝技術(shù),進(jìn)而減少異常產(chǎn)品,提高產(chǎn)品質(zhì)量。 |
