一種用于LED生長(zhǎng)的圖形化襯底、外延片和制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110798085.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113257970A 公開(kāi)（公告）日 2021-08-13
申請(qǐng)公布號(hào) CN113257970A 申請(qǐng)公布日 2021-08-13
分類號(hào) H01L33/22（2010.01）I;H01L33/44（2010.01）I;H01L33/10（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張劍橋;謝鵬程;米波;肖桂明;張小瓊;陸前軍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廣東中圖半導(dǎo)體科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 孟金喆
地址 523000廣東省東莞市松山湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)工業(yè)北二路4號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種用于LED生長(zhǎng)的圖形化襯底、外延片和制備方法。該襯底包括圖形化藍(lán)寶石襯底，圖形化藍(lán)寶石襯底的一側(cè)表面形成有多個(gè)藍(lán)寶石圖形，異質(zhì)層，位于圖形化藍(lán)寶石形成有藍(lán)寶石圖形的一側(cè)表面，藍(lán)寶石圖形被包覆于異質(zhì)層的內(nèi)部，且藍(lán)寶石圖形的上表面與異質(zhì)層的上表面齊平。本發(fā)明通過(guò)將藍(lán)寶石c面經(jīng)過(guò)研磨和拋光處理，使得外延層的材料只在藍(lán)寶石c面成核生長(zhǎng)，具有良好的平整度和可控的表面粗糙度，有利于獲得低缺陷的外延層，進(jìn)一步降低外延層位錯(cuò)密度，保證外延質(zhì)量；并且通過(guò)外延層、藍(lán)寶石襯底、異質(zhì)層及空氣的梯度折射率差異及藍(lán)寶石襯底中形成的凸起結(jié)構(gòu)降低全反射，增加光提取率，進(jìn)而提高外量子效率。