一種圖形化復(fù)合襯底、制備方法及LED外延片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911296325.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112993105A 公開（公告）日 2021-06-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN112993105A 申請(qǐng)公布日 2021-06-18
分類號(hào) H01L33/22;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 康凱;陸前軍;向炯 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廣東中圖半導(dǎo)體科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 孟金喆
地址 523000 廣東省東莞市松山湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)工業(yè)北二路4號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實(shí)施例公開了一種圖形化復(fù)合襯底、制備方法及LED外延片。該圖形化復(fù)合襯底包括：圖形化基底；圖形化外延緩沖層，所述圖形化外延緩沖層覆蓋所述圖形化基底，所述圖形化外延緩沖層背離所述圖形化基底的一側(cè)形成有多個(gè)第一微結(jié)構(gòu)，所述第一微結(jié)構(gòu)包括第一異質(zhì)材料結(jié)構(gòu)，所述第一異質(zhì)材料結(jié)構(gòu)至少位于所述第一微結(jié)構(gòu)的頂部。本發(fā)明實(shí)施例解決了圖形化藍(lán)寶石襯底在生長氮化鎵外延層時(shí)仍存在晶格失配，外量子效率小，發(fā)光亮度低的問題，實(shí)現(xiàn)了增強(qiáng)光提取效率，改善外延生長質(zhì)量的效果，有助于提高LED的外量子效率。