一種等離子刻蝕裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110036756.1 申請日 -
公開（公告）號 CN112863992A 公開（公告）日 2021-05-28
申請公布號 CN112863992A 申請公布日 2021-05-28
分類號 H01J37/32(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 羅凱;王子榮;康凱 申請（專利權(quán)）人 廣東中圖半導(dǎo)體科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 胡彬
地址 523000廣東省東莞市松山湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)工業(yè)北二路4號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種等離子刻蝕裝置，包括工藝腔、第一基座、第二基座、兩個下射頻、第一托盤、第二托盤、上定位組件和下定位組件，工藝腔外套設(shè)有射頻線圈；第一基座和第二基座分別設(shè)在工藝腔的頂壁和底壁；兩個下射頻分別連接于第一基座和第二基座；第一托盤和第二托盤均用于放置待蝕刻件；上定位組件用于將第一托盤固定于第一基座；下定位組件用于將第二托盤固定于第二基座。本發(fā)明提供的等離子刻蝕裝置在不增加工藝腔體積的情況下，能夠刻蝕原來兩倍的晶片，極大地提高了刻蝕晶片的數(shù)量，提高效率。??