一種PDN阻抗平坦化仿真方法、裝置、設(shè)備和介質(zhì)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010316030.9 申請日 -
公開（公告）號 CN111563356B 公開（公告）日 2022-07-01
申請公布號 CN111563356B 申請公布日 2022-07-01
分類號 G06F30/367（2020.01）I 分類 計算；推算；計數(shù);
發(fā)明人 陳彥豪;林丁丙;尤智玉 申請（專利權(quán)）人 英業(yè)達(dá)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 中國臺灣臺北市士林區(qū)后港街66號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種PDN阻抗平坦化仿真方法，包括：將去耦合電容模型轉(zhuǎn)化為等效串聯(lián)RLC電路；通過仿真分別計算不同的去耦合電容待擺放節(jié)點(diǎn)有無去耦合電容的IC端阻抗的變化量；將最大的IC端阻抗的變化量對應(yīng)的去耦合電容待擺放節(jié)點(diǎn)配置為第一位置節(jié)點(diǎn)；再次計算其他去耦合電容待擺放節(jié)點(diǎn)的IC端阻抗的變化量并依次獲取所有去耦合電容待擺放節(jié)點(diǎn)的順序；獲取目標(biāo)阻抗和PDN阻抗的曲線交錯點(diǎn)對應(yīng)的電容值，在第一位置節(jié)點(diǎn)放置電容值鄰近且大于交錯點(diǎn)對應(yīng)的電容值的去耦合電容；依次針對所有位置節(jié)點(diǎn)重復(fù)前一步驟以放置去耦合電容。本發(fā)明還公開了一種裝置、設(shè)備和介質(zhì)。本發(fā)明提供的PDN阻抗平坦化仿真方法、裝置、設(shè)備和介質(zhì)可以使PDN阻抗平坦化。