一種單晶硅片的單面制絨工藝及太陽(yáng)能電池片的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010811851.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN111945229B 公開(kāi)（公告）日 2022-01-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN111945229B 申請(qǐng)公布日 2022-01-28
分類號(hào) C30B33/10（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I;C23C16/50（2006.01）I;C23C16/34（2006.01）I;C30B31/00（2006.01）I;C23C16/455（2006.01）I;C23C16/40（2006.01）I;H01L31/0236（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 馬玉超;余浩;張曉攀;單偉;何勝;徐偉智 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江正泰太陽(yáng)能科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 付麗
地址 310051浙江省杭州市濱江區(qū)濱安路1335號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種單晶硅片的單面制絨工藝，包括以下步驟：A）將掩膜膠液涂覆至單晶硅片的背面，得到背面有掩膜涂層的單晶硅片；所述掩膜膠液包括以下重量份數(shù)的組分：氧化硅：0.1～1份，助劑：0.5～2份，木質(zhì)素纖維：0.1～1份，阿拉伯膠：10～100份；B）將所述背面有掩膜涂層的單晶硅片在堿性試劑中制絨后進(jìn)行酸洗，去除掩膜涂層，得到單面制絨的單晶硅片。本發(fā)明以氧化硅和樹(shù)脂為主要成分，在很低的溫度下即可制備得到掩膜涂層，能耗小，起阻擋和掩膜作用的為樹(shù)脂及氧化硅，阻擋效果更好，氧化硅除起到掩膜左右，對(duì)后續(xù)掩膜去除也起到助溶效果。