一種大功率半導體模塊

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201010529014.4 申請日 -
公開（公告）號 CN102082132B 公開（公告）日 2015-11-11
申請公布號 CN102082132B 申請公布日 2015-11-11
分類號 H01L23/31(2006.01)I;H01L23/10(2006.01)I;H01L23/13(2006.01)I;H01L25/11(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉立東 申請（專利權）人 北京航天萬方科技有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 100070 北京市豐臺區(qū)海鷹路1號院2號樓3層（園區(qū)）北京航天萬方科技有限公司
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 當今，功率半導體模塊特別是具有雙管結構的大功率單相半橋快恢復二極管半導體模塊，被用在許多功率電子電路中，尤其是在焊機、電鍍電源以及變頻器等電路中。本發(fā)明提供一種功率半導體模塊的結構和封裝設計，它包括導熱底板、螺母、外殼、半導體晶元、螺釘、應力緩沖件、金屬片以及焊錫片。其中，導熱底板為模塊封裝的基體，整個模塊用焊錫片焊接在一起，用封裝膠將外殼與導熱底板粘結在一起，再用封裝樹酯將模塊的內部結構封起來，導熱底板上的螺釘起到將灌封樹酯輔助固定在導熱底板上的作用。在本發(fā)明提供的功率半導體模塊中設有應力緩沖結構，導熱底板上有半導體晶元定位結構和外殼定位結構，外殼上有定位結構與導熱底板相應的外殼定位結構相匹配。