一種PVT法單晶生長爐

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201820271266.3 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN207944168U 公開（公告）日 2018-10-09
申請公布號(hào) CN207944168U 申請公布日 2018-10-09
分類號(hào) C30B23/00;C30B29/48 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 周振翔;趙欣;何敬暉;李輝;黃存新;彭珍珍;陳建榮 申請（專利權(quán)）人 爍光特晶科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 北京中材人工晶體研究院有限公司
地址 100018 北京市朝陽區(qū)東壩紅松園1號(hào)院
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及晶體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及PVT法單晶生長爐，包括爐體和安瓿，爐體包括保溫套和加熱裝置，安瓿伸入保溫套的內(nèi)側(cè)，保溫套內(nèi)側(cè)分為上溫區(qū)和下溫區(qū)，加熱裝置包括分別對(duì)應(yīng)上溫區(qū)和下溫區(qū)設(shè)置的上加熱件和下加熱件，下加熱件為電磁感應(yīng)加熱件。本實(shí)用新型分為爐體和安瓿，爐體包括外圍的高鋁預(yù)制保溫套和控制晶體生長環(huán)境溫度的加熱裝置，安瓿上預(yù)先放置多晶料源并將安瓿置入保溫套的內(nèi)側(cè)，加熱裝置的下加熱件為電磁感應(yīng)加熱件，利用磁感應(yīng)效應(yīng)為下溫區(qū)的晶體生長提供熱量，與上加熱件配合調(diào)控晶體生長的縱向溫度梯度，下加熱件還可精確控制位于下溫區(qū)中襯底處的橫向溫度梯度，穩(wěn)定晶體生長速率，減少因溫度控制不當(dāng)造成的晶體缺陷。