一種深紫外高透過石英晶體制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110082024.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112899778A | 公開（公告）日 | 2021-06-04 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112899778A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-06-04 |
| 分類號(hào) | C30B29/18;C30B11/00;C30B11/14 | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 張紹鋒;張璇;孫志文;姜秀麗;劉巨瀾 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 爍光特晶科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京慕達(dá)星云知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 孫光遠(yuǎn) |
| 地址 | 100018 北京市朝陽(yáng)區(qū)東壩紅松園1號(hào)內(nèi) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種深紫外高透過石英晶體制造方法。涉及人工晶體技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明包括以下步驟：挑選無(wú)條紋石英晶體籽晶腐蝕后，水平懸掛固定在晶體生長(zhǎng)架上，籽晶上表面貼膜遮擋；制備高純石英塊狀原料；高壓釜內(nèi)用節(jié)流隔板分成上下兩個(gè)區(qū)域加入礦化劑密封；升溫；初期結(jié)晶界面控制并重復(fù)；恒溫；降溫取出。本發(fā)明工藝制造的深紫外高透過石英晶體SiO2純度達(dá)99.999％以上，內(nèi)透過率T≥95％/cm@193nm，193nm光學(xué)損耗降低了2/3以上，光學(xué)均勻性≤5ppm@633nm，雙折射率差均勻性≤0.2％，滿足深紫外光學(xué)儀器應(yīng)用需求。 |
