一種深紫外高透過石英晶體制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110082024.6 申請日 -
公開（公告）號 CN112899778A 公開（公告）日 2021-06-04
申請公布號 CN112899778A 申請公布日 2021-06-04
分類號 C30B29/18;C30B11/00;C30B11/14 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 張紹鋒;張璇;孫志文;姜秀麗;劉巨瀾 申請（專利權）人 爍光特晶科技有限公司
代理機構 北京慕達星云知識產(chǎn)權代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 孫光遠
地址 100018 北京市朝陽區(qū)東壩紅松園1號內(nèi)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種深紫外高透過石英晶體制造方法。涉及人工晶體技術領域。本發(fā)明包括以下步驟：挑選無條紋石英晶體籽晶腐蝕后，水平懸掛固定在晶體生長架上，籽晶上表面貼膜遮擋；制備高純石英塊狀原料；高壓釜內(nèi)用節(jié)流隔板分成上下兩個區(qū)域加入礦化劑密封；升溫；初期結晶界面控制并重復；恒溫；降溫取出。本發(fā)明工藝制造的深紫外高透過石英晶體SiO2純度達99.999％以上，內(nèi)透過率T≥95％/cm@193nm，193nm光學損耗降低了2/3以上，光學均勻性≤5ppm@633nm，雙折射率差均勻性≤0.2％，滿足深紫外光學儀器應用需求。