一種低腐蝕隧道密度人造石英晶體籽晶培育方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010987011.9 申請日 -
公開（公告）號 CN112176408A 公開（公告）日 2021-01-05
申請公布號 CN112176408A 申請公布日 2021-01-05
分類號 C30B29/18(2006.01)I;C30B35/00(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 張紹鋒;張璇;孫志文;姜秀麗;劉巨瀾 申請（專利權(quán)）人 爍光特晶科技有限公司
代理機構(gòu) 北京慕達(dá)星云知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 爍光特晶科技有限公司
地址 100018北京市朝陽區(qū)東壩紅松園1號內(nèi)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種低腐蝕隧道密度人造石英晶體籽晶培育方法，包括：包括如下步驟：選取人造石英塊狀籽晶；在籽晶+x晶向開槽，將籽晶制成U型籽晶塊；將優(yōu)質(zhì)石英原料破碎成塊狀，經(jīng)過水洗、堿洗、水洗稀釋、烘干，放入高壓釜下部溶解區(qū)；將籽晶塊腐蝕后，用擋板遮擋U型塊狀籽晶兩側(cè)和底面，U型槽開口向下懸掛在晶體生長架上，將晶體生長架放入高壓釜內(nèi)上部生長區(qū)；待U型槽內(nèi)部填滿，形成人造石英晶體完整外形后停止生長，去除籽晶原有U型部分，提取U型槽內(nèi)新填充部分石英晶體，得到低腐蝕隧道密度人造石英晶體籽晶。本發(fā)明能夠解決低腐蝕隧道密度人造石英晶體生長的籽晶需求，滿足晶振元件微型化、高頻化QMEMS制造工藝應(yīng)用。??