一種小溝道電阻的HEMT器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202123398033.0 申請日 -
公開（公告）號 CN216528895U 公開（公告）日 2022-05-13
申請公布號 CN216528895U 申請公布日 2022-05-13
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李晉;楊淞義;高欣源;鐘敏;袁松;鈕應(yīng)喜;趙海明;趙清;單衛(wèi)平 申請（專利權(quán)）人 安徽長飛先進半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 蕪湖安匯知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 241000安徽省蕪湖市弋江區(qū)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)服務(wù)外包園3號樓1803
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體來說是一種小溝道電阻的HEMT器件，包括襯底，所述襯底上設(shè)有緩沖層；所述緩沖層上設(shè)有溝道層；所述溝道層上設(shè)有勢壘層；所述勢壘層上具有源極、柵極以及漏極；所述柵極與勢壘層之間設(shè)有P?GaN層；所述源極與柵極以及柵極與漏極之間設(shè)有基礎(chǔ)介質(zhì)層，所述基礎(chǔ)介質(zhì)層上刻蝕有多個溝槽，所述溝槽內(nèi)生長有填充介質(zhì)層。本實用新型公開了一種小溝道電阻的HEMT器件；本實用新型通過改變介質(zhì)層的壓應(yīng)力方式來調(diào)節(jié)勢壘層受到的應(yīng)力作用，介質(zhì)層起到調(diào)節(jié)溝道2DEG的作用；進而減小溝道電阻，改善頻率特性。