一種小溝道電阻的HEMT器件
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202123398033.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN216528895U | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-05-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN216528895U | 申請(qǐng)公布日 | 2022-05-13 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 李晉;楊淞義;高欣源;鐘敏;袁松;鈕應(yīng)喜;趙海明;趙清;單衛(wèi)平 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 安徽長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 蕪湖安匯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 241000安徽省蕪湖市弋江區(qū)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)服務(wù)外包園3號(hào)樓1803 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體來(lái)說(shuō)是一種小溝道電阻的HEMT器件，包括襯底，所述襯底上設(shè)有緩沖層；所述緩沖層上設(shè)有溝道層；所述溝道層上設(shè)有勢(shì)壘層；所述勢(shì)壘層上具有源極、柵極以及漏極；所述柵極與勢(shì)壘層之間設(shè)有P?GaN層；所述源極與柵極以及柵極與漏極之間設(shè)有基礎(chǔ)介質(zhì)層，所述基礎(chǔ)介質(zhì)層上刻蝕有多個(gè)溝槽，所述溝槽內(nèi)生長(zhǎng)有填充介質(zhì)層。本實(shí)用新型公開(kāi)了一種小溝道電阻的HEMT器件；本實(shí)用新型通過(guò)改變介質(zhì)層的壓應(yīng)力方式來(lái)調(diào)節(jié)勢(shì)壘層受到的應(yīng)力作用，介質(zhì)層起到調(diào)節(jié)溝道2DEG的作用；進(jìn)而減小溝道電阻，改善頻率特性。 |
