一種增強型氮化鎵高電子遷移率晶體管結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202123140712.8 申請日 -
公開（公告）號 CN216597586U 公開（公告）日 2022-05-24
申請公布號 CN216597586U 申請公布日 2022-05-24
分類號 H01L27/06（2006.01）I;H01L27/28（2006.01）I;H01L23/538（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李怡均;袁松;趙海明;鈕應(yīng)喜;張曉洪;左萬勝;鐘敏;史田超 申請（專利權(quán)）人 安徽長飛先進半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 蕪湖安匯知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 241000安徽省蕪湖市弋江區(qū)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)服務(wù)外包園3號樓1803
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種增強型氮化鎵高電子遷移率晶體管結(jié)構(gòu)，屬于HEMT器件結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域，該晶體管結(jié)構(gòu)，包括氮化鎵基功率器件，氮化鎵基功率器件通過鈍化層與后端工藝晶體管相連，鈍化層內(nèi)設(shè)置有導(dǎo)電柱，導(dǎo)電柱將氮化鎵基功率器件的電極層與后端工藝晶體管的電極層相連，本實用新型的有益效果是，本實用新型在氮化鎵基功率器件上單片集成后端工藝晶體管，互連寄生效應(yīng)小，提升了系統(tǒng)的頻率特性，減小了系統(tǒng)的體積，降低了制備成本。