一種氮化鎵高遷移率晶體管器件
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202123139797.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN216528894U | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-05-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN216528894U | 申請(qǐng)公布日 | 2022-05-13 |
| 分類號(hào) | H01L29/06（2006.01）I;H01L23/373（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;B82Y30/00（2011.01）I;B82Y40/00（2011.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 囤冠華;趙海明;王敬;任天令;袁松;鈕應(yīng)喜;單衛(wèi)平;趙清 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 安徽長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 蕪湖安匯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 241000安徽省蕪湖市弋江區(qū)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)服務(wù)外包園3號(hào)樓1803 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種氮化鎵高遷移率晶體管器件，包括襯層、晶體管層、帽層和插層，所述插層為六方氮化硼插層，六方氮化硼插層設(shè)置在襯層上，晶體管層設(shè)置在六方氮化硼插層上，帽層設(shè)置在晶體管層上。襯層為金剛石襯底，在金剛石襯底上通過(guò)液相轉(zhuǎn)移二維六方氮化硼材料形成六方氮化硼插層；優(yōu)選的插層中六方氮化硼的層數(shù)為1?5層。氮化鎵高遷移率晶體管器件底部采用六方氮化硼配合金剛石作為襯底，同樣有利于熱的傳遞，降低器件工作時(shí)發(fā)熱溫度。 |
