一種氣液相混合生長氮化鎵單晶的裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202123139800.6 申請日 -
公開（公告）號 CN216838279U 公開（公告）日 2022-06-28
申請公布號 CN216838279U 申請公布日 2022-06-28
分類號 C30B29/40（2006.01）I;C30B30/02（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 囤冠華;趙海明;王敬;任天令;袁松;鈕應(yīng)喜;單衛(wèi)平;趙清 申請（專利權(quán)）人 安徽長飛先進半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 蕪湖安匯知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 241000安徽省蕪湖市弋江區(qū)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)服務(wù)外包園3號樓1803
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種氣液相混合生長氮化鎵單晶的裝置，包括密閉腔體、用于盛放鎵的容器、加熱機構(gòu)和等離子發(fā)生器，容器放置在密閉腔體中，鎵放置在容器中，加熱機構(gòu)位于容器的底部和頂部使鎵處于熔融狀態(tài)，等離子發(fā)生器位于密閉腔體的外部，等離子發(fā)生器與密閉腔體連通。密閉腔體的一側(cè)設(shè)有與等離子發(fā)生器連通的等離子體入口，另一側(cè)設(shè)有等離子體出口，氮放置在等離子發(fā)生器中產(chǎn)生氮基等離子體，氮基等離子體通過等離子體入口進入到密閉腔體中。本實用新型采用氣液結(jié)合的生長方式生長氮化鎵單晶，采用等離子體的形式提供高反應(yīng)活性的氮源，由熔融方式得到液態(tài)鎵源，克服了液相生長需要跨越的高的氮氣活化勢壘，以及氣相生長在遠離準平衡態(tài)生長的缺點。