一種氣液相混合生長(zhǎng)氮化鎵單晶的裝置
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202123139800.6 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN216838279U | 公開(kāi)(公告)日 | 2022-06-28 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN216838279U | 申請(qǐng)公布日 | 2022-06-28 |
分類號(hào) | C30B29/40(2006.01)I;C30B30/02(2006.01)I | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
發(fā)明人 | 囤冠華;趙海明;王敬;任天令;袁松;鈕應(yīng)喜;單衛(wèi)平;趙清 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 安徽長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 蕪湖安匯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | - |
地址 | 241000安徽省蕪湖市弋江區(qū)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)服務(wù)外包園3號(hào)樓1803 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種氣液相混合生長(zhǎng)氮化鎵單晶的裝置,包括密閉腔體、用于盛放鎵的容器、加熱機(jī)構(gòu)和等離子發(fā)生器,容器放置在密閉腔體中,鎵放置在容器中,加熱機(jī)構(gòu)位于容器的底部和頂部使鎵處于熔融狀態(tài),等離子發(fā)生器位于密閉腔體的外部,等離子發(fā)生器與密閉腔體連通。密閉腔體的一側(cè)設(shè)有與等離子發(fā)生器連通的等離子體入口,另一側(cè)設(shè)有等離子體出口,氮放置在等離子發(fā)生器中產(chǎn)生氮基等離子體,氮基等離子體通過(guò)等離子體入口進(jìn)入到密閉腔體中。本實(shí)用新型采用氣液結(jié)合的生長(zhǎng)方式生長(zhǎng)氮化鎵單晶,采用等離子體的形式提供高反應(yīng)活性的氮源,由熔融方式得到液態(tài)鎵源,克服了液相生長(zhǎng)需要跨越的高的氮?dú)饣罨瘎?shì)壘,以及氣相生長(zhǎng)在遠(yuǎn)離準(zhǔn)平衡態(tài)生長(zhǎng)的缺點(diǎn)。 |
