一種氮化鎵高電子遷移率晶體管結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202123139754.X 申請日 -
公開（公告）號 CN216698374U 公開（公告）日 2022-06-07
申請公布號 CN216698374U 申請公布日 2022-06-07
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄢詔譯;袁松;趙海明;鈕應(yīng)喜;鐘敏;史田超;左萬勝;張曉洪 申請（專利權(quán)）人 安徽長飛先進半導體有限公司
代理機構(gòu) 蕪湖安匯知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 241000安徽省蕪湖市弋江區(qū)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)服務(wù)外包園3號樓1803
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種氮化鎵高電子遷移率晶體管結(jié)構(gòu)，屬于HEMT器件結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域，該晶體管結(jié)構(gòu)，包括襯底，襯底表面依次生長GaN緩沖層、AlGaN層和電極層，GaN緩沖層包括在襯底表面依次生長碳摻雜GaN層Ⅰ和非故意摻雜GaN層Ⅰ而形成的反偏PN結(jié)，反偏PN結(jié)的兩側(cè)設(shè)置有將其中儲存的電荷泄放的泄放結(jié)構(gòu)，本實用新型的有益效果是，本實用新型通過在緩沖層引入泄放結(jié)構(gòu)來釋放掉因PN結(jié)反偏勢壘而存儲的電荷，可抑制C?GaN HEMT器件的電流崩塌效應(yīng)，同時保證了晶體管結(jié)構(gòu)整體的性能。