晶體橫向生長設(shè)備及晶體橫向生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910003186.9 申請日 -
公開（公告）號 CN109487330A 公開（公告）日 2019-03-19
申請公布號 CN109487330A 申請公布日 2019-03-19
分類號 C30B11/02（2006.01）I; C30B29/16（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 楊建春 申請（專利權(quán)）人 無錫翌波晶體材料有限公司
代理機構(gòu) 蘇州廣正知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 無錫翌波晶體材料有限公司
地址 214000 江蘇省無錫市錫山區(qū)芙蓉中三路99號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種晶體橫向生長設(shè)備及晶體橫向生長方法，該晶體橫向生長設(shè)備包括：爐體、第一保溫層、第二保溫層、高溫區(qū)、發(fā)熱體、導(dǎo)車和坩堝，爐體內(nèi)設(shè)置有第一保溫層和第二保溫層，導(dǎo)車置于第一保溫層和第二保溫層之間，第一保溫層和第二保溫層上均設(shè)置有高溫區(qū)，高溫區(qū)的中心均設(shè)置有發(fā)熱體，坩堝裝于導(dǎo)車中。該晶體橫向生長方法包括以下步驟：將生長晶體所需的原料混合后填入坩堝中，然后將坩堝放入導(dǎo)車中，由導(dǎo)車將坩堝由低溫區(qū)移入高溫區(qū)；原料融化變成液體，達到最大的液化狀態(tài)，再慢慢移出高溫區(qū)，液體慢慢按所需的晶格進行排列組合固化，生成晶體。本發(fā)明解決了晶體生長中底部壓力過大，坩堝難以承受從而導(dǎo)致坩堝變形漏液的情況。