晶片薄膜電阻防水性能提升的改進制成工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110200209.2 申請日 -
公開（公告）號 CN112820489A 公開（公告）日 2021-05-18
申請公布號 CN112820489A 申請公布日 2021-05-18
分類號 H01C17/12;H01C17/242;H01C17/00;H01C17/02;H01C17/30;H01C1/02;H01C7/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王建國;趙武彥;韓勝友;徐玉花;吳術愛;孫麗娜 申請（專利權）人 昆山厚聲電子工業(yè)有限公司
代理機構 上海申新律師事務所 代理人 郭春遠
地址 215300 江蘇省蘇州市昆山經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)龍騰路88號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種晶片薄膜電阻防水性能提升的改進制成工藝，工藝步驟包括：1）在絕緣基板（1）表面濺射鍍膜形成電阻層，電阻層表面設置AL2O3鈍化層作為第一保護層；2）在折條和折?？毯劬€之間，完成鐳射修阻工序，通過制程改進優(yōu)化鐳射起刀點位置；3）在鐳射修阻工序后，電阻層表面設置第二保護層。突破現(xiàn)有行業(yè)固有傳統(tǒng)，結合創(chuàng)新設置鐳射切線起刀點，在電阻層表面制作二層保護層，達到薄膜電阻的防水要求。以較低的制作成本，實現(xiàn)優(yōu)良的電阻特性指標，新工藝賦予晶片薄膜電阻器以更多的及更廣泛的應用前景。避免環(huán)境污染如水汽、有害物質等侵入造成電阻腐蝕，滿足85℃溫度、85％RH濕度，10％功率的電阻性能試驗要求。