一種超高溫防輻射SIC材料MOSFET原件
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202021102973.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN211907427U | 公開（公告）日 | 2020-11-10 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN211907427U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-11-10 |
| 分類號(hào) | H01L23/49(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 高嘉鵬 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 固安京儀椿樹整流器有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京專贏專利代理有限公司 | 代理人 | 于剛 |
| 地址 | 065500河北省廊坊市固安縣東位村固涿路北側(cè) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種超高溫防輻射SIC材料MOSFET原件，包括原件主體、連接塊和支腳，所述連接塊與支腳之間設(shè)置有調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)，所述調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)包括放置槽、連接桿、移動(dòng)桿、移動(dòng)塊、彈簧、第一滑槽、轉(zhuǎn)動(dòng)桿和第二滑槽，所述連接塊內(nèi)部開設(shè)有支腳配合的放置槽。該超高溫防輻射SIC材料MOSFET原件即可通過連接桿使得支腳可以在連接塊上轉(zhuǎn)動(dòng)，從而使得支腳的角度可以調(diào)節(jié)安裝時(shí)再將連接塊與支腳焊接即可，解決了現(xiàn)有的MOSFET原件安裝時(shí)支腳的角度無法調(diào)節(jié)的問題，避免因多次撥動(dòng)導(dǎo)致支腳折斷，提高了MOSFET原件的實(shí)用性，解決了現(xiàn)有的MOSFET原件在安裝時(shí)焊接處容易相連的問題，提高了MOSFET原件安裝時(shí)的便捷性，降低了操作人員的工作難度。?? |
