半導(dǎo)體器件及其制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201810414136.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN110444597B | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-03-19 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN110444597B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-19 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/778(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 吳傳佳 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 蘇州捷芯威半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京超凡志成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 徐麗 |
| 地址 | 215123江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)西北區(qū)2幢311-B室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，該半導(dǎo)體器件包括襯底、半導(dǎo)體層、源極、柵極、漏極以及至少兩個(gè)結(jié)終端。半導(dǎo)體層制作于所述襯底一側(cè)，所述半導(dǎo)體層包括溝道層和勢(shì)壘層，所述溝道層和勢(shì)壘層之間的界面處形成二維電子氣。源極、柵極和漏極制作于所述半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)。至少兩個(gè)間隔設(shè)置的漏極結(jié)終端位于所述半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)，且位于所述柵極和漏極之間的，所述至少兩個(gè)漏極結(jié)終端分別與所述漏極短接。使漏極結(jié)終端之間的間隔區(qū)域?qū)?yīng)的二維電子氣的濃度不會(huì)降低，使得半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通電阻不會(huì)增加，不會(huì)降低器件的工作效率，可以減少器件的能量耗損，提高器件的長(zhǎng)期可靠性。?? |
