肖特基二極管及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810456701.4 申請日 -
公開（公告）號 CN108493257B 公開（公告）日 2021-07-13
申請公布號 CN108493257B 申請公布日 2021-07-13
分類號 H01L29/872;H01L21/329 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 裴軼;裴曉延 申請（專利權(quán)）人 蘇州捷芯威半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡志成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王文紅
地址 215123 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號西北區(qū)2幢311-B室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種肖特基二極管及其制造方法。該肖特基二極管包括：半導(dǎo)體層、位于半導(dǎo)體層一側(cè)的三端端口，該三端端口包括第一電極和第二電極以及位于第一電極與第二電極之間的第三電極。其中，第二電極與半導(dǎo)體層肖特基接觸，且第二電極與第三電極電連接形成肖特基二極管的陽極。第一電極與半導(dǎo)體層歐姆接觸，作為肖特基二極管的陰極。通過上述設(shè)置，以在第三電極反偏電壓增加達(dá)到其閾值電壓時，第三電極下方溝道層完全被耗盡層夾斷，隨第二電極上施加的反偏電壓繼續(xù)增加，第三電極下方的耗盡層逐漸向第一電極和第二電極展寬，此時肖特基二極管上施加的反偏電壓主要由第三電極下方的耗盡層來承擔(dān)，使得二極管的反向耐壓能力更強(qiáng)、漏電更小。